홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTA115TM,315

NXP Semiconductors PDTA115TM,315

PDTA115TM,315
제조업체 부품 번호
PDTA115TM,315
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTA115TM,315 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 54.82000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTA115TM,315 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTA115TM,315 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTA115TM,315가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTA115TM,315 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTA115TM,315 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTA115TM,315
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTA115T
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)100k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-101, SOT-883
공급 장치 패키지DFN1006-3
표준 포장 10,000
다른 이름568-2113-2
934058821315
PDTA115TM T/R
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTA115TM,315
관련 링크PDTA115, PDTA115TM,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTA115TM,315 의 관련 제품
650µH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 5.5A DCR 30 mOhm CM6296R-654.pdf
Optoisolator Darlington Output 3750Vrms 1 Channel 8-SO HCPL-0370-560E.pdf
RES 400 OHM .3W .005% RADIAL Y4078400R000V0L.pdf
FRS2B INTERSIL SMD or Through Hole FRS2B.pdf
ST330S08P0PBF IR SMD or Through Hole ST330S08P0PBF.pdf
SI-3050KMT-TL SANKEN TO252 SI-3050KMT-TL.pdf
74HC00MTC FSC TSSOP-14 74HC00MTC.pdf
HYE18M1G161BF-6 HY BGA HYE18M1G161BF-6.pdf
C0402C129C5GAC7867 KEMET SMD or Through Hole C0402C129C5GAC7867.pdf
SP1 SHARP QFP SP1.pdf
EPF10130EQC240-3 ALTERA QFP EPF10130EQC240-3.pdf