창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PDTA115EMB,315 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 934065934315 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 20mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 100k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 100k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
주파수 - 트랜지션 | 180MHz | |
전력 - 최대 | 250mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-DFN1006B(.60x1) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PDTA115EMB,315 | |
관련 링크 | PDTA115E, PDTA115EMB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | AH51413-S1 | AH51413-S1 FOXCONN SMD or Through Hole | AH51413-S1.pdf | |
![]() | 2NN80A | 2NN80A MOT CAN3 | 2NN80A.pdf | |
![]() | SDRA05-4 | SDRA05-4 SC SOP | SDRA05-4.pdf | |
![]() | TL39002 | TL39002 TI SOP-8 | TL39002.pdf | |
![]() | M1XAD | M1XAD ORIGINAL SOT23-5 | M1XAD.pdf | |
![]() | MSM6307GSKR17 | MSM6307GSKR17 OKI SMD or Through Hole | MSM6307GSKR17.pdf | |
![]() | DD261N08KOF | DD261N08KOF EUPEC SMD or Through Hole | DD261N08KOF.pdf | |
![]() | RK73B1JLTD512J | RK73B1JLTD512J N/A SMD or Through Hole | RK73B1JLTD512J.pdf | |
![]() | EVM2XSX50BQ3 | EVM2XSX50BQ3 Panasonic/ 2X2 SMD | EVM2XSX50BQ3.pdf | |
![]() | D448 | D448 AOS TO252 | D448.pdf | |
![]() | 7A06N-820K | 7A06N-820K SAGAMI SMD or Through Hole | 7A06N-820K.pdf | |
![]() | 2SK3355-Z-E1 | 2SK3355-Z-E1 NEC TO263 | 2SK3355-Z-E1.pdf |