창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PDTA113ZMB,315 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PDTA113ZMB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 1k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 180MHz | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-DFN1006B(.60x1) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 934065919315 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PDTA113ZMB,315 | |
| 관련 링크 | PDTA113Z, PDTA113ZMB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | CRGH1206F909R | RES SMD 909 OHM 1% 1/2W 1206 | CRGH1206F909R.pdf | |
![]() | 741Z607C20 | 741Z607C20 NEC DIP64 | 741Z607C20.pdf | |
![]() | BYG10G-E3/61T | BYG10G-E3/61T VISHAY DO-214 | BYG10G-E3/61T.pdf | |
![]() | SCP1852LC | SCP1852LC ORIGINAL DIP | SCP1852LC.pdf | |
![]() | TMSC328A089PZQ | TMSC328A089PZQ TIBB QFP | TMSC328A089PZQ.pdf | |
![]() | GA355DR7GC152KY02L | GA355DR7GC152KY02L MURATA SMD | GA355DR7GC152KY02L.pdf | |
![]() | MT8JTF25664AZ-1G4M1 | MT8JTF25664AZ-1G4M1 ORIGINAL Tray | MT8JTF25664AZ-1G4M1.pdf | |
![]() | MV6753A4R0 | MV6753A4R0 FSC SMD or Through Hole | MV6753A4R0.pdf | |
![]() | 2SK2865TE16L1 | 2SK2865TE16L1 TOS SMD or Through Hole | 2SK2865TE16L1.pdf | |
![]() | 2QSP24-RJ1-330 | 2QSP24-RJ1-330 BOUR SMD or Through Hole | 2QSP24-RJ1-330.pdf | |
![]() | 04-6232-424-102-800+ | 04-6232-424-102-800+ KYOCERA NA | 04-6232-424-102-800+.pdf | |
![]() | KM616FR1010AFI8 | KM616FR1010AFI8 Samsung SMD or Through Hole | KM616FR1010AFI8.pdf |