홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTA113ZMB,315

NXP Semiconductors PDTA113ZMB,315

PDTA113ZMB,315
제조업체 부품 번호
PDTA113ZMB,315
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTA113ZMB,315 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 99.58290
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTA113ZMB,315 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTA113ZMB,315 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTA113ZMB,315가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTA113ZMB,315 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTA113ZMB,315 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTA113ZMB,315
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTA113ZMB
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)1k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce35 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션180MHz
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XFDFN
공급 장치 패키지3-DFN1006B(.60x1)
표준 포장 10,000
다른 이름934065919315
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTA113ZMB,315
관련 링크PDTA113Z, PDTA113ZMB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTA113ZMB,315 의 관련 제품
2.2µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C 50YXF2.2MEFC5X11.pdf
44MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F44013ILR.pdf
RES ARRAY 4 RES 13K OHM 0804 CRA04S08313K0JTD.pdf
1MBH50D060A ORIGINAL SMD or Through Hole 1MBH50D060A.pdf
AT24C01A/2.7V ORIGINAL SOP AT24C01A/2.7V.pdf
XC5210-PQG208 XILINX QFP208 XC5210-PQG208.pdf
LTQSDL-1 MINI SOP-6 LTQSDL-1.pdf
PE9702-01 PEREGRINE CQFJ-44 PE9702-01.pdf
2SC1627A-Y(F) TOSHIBA TO92M 2SC1627A-Y(F).pdf
BAV99W-JG ORIGINAL SOT-23 BAV99W-JG.pdf
BA90BCO ROHM TO-220F BA90BCO.pdf
PT6112 ORIGINAL SOT23-5 PT6112.pdf