창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PDTA113EMB,315 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 934065918315 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 1k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 1k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 40mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 180MHz | |
전력 - 최대 | 250mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-DFN1006B(.60x1) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PDTA113EMB,315 | |
관련 링크 | PDTA113E, PDTA113EMB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | GRM219R71H333KA01D | 0.033µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM219R71H333KA01D.pdf | |
![]() | PEF21624EV2.1 | PEF21624EV2.1 Infineon BGA | PEF21624EV2.1.pdf | |
![]() | MX88271FCS9919 | MX88271FCS9919 MX QFP | MX88271FCS9919.pdf | |
![]() | D4053BG-T1 | D4053BG-T1 NEC SOP | D4053BG-T1.pdf | |
![]() | HSC100 R10J-NR | HSC100 R10J-NR Tyco SMD or Through Hole | HSC100 R10J-NR.pdf | |
![]() | FCI1608F-4R7K | FCI1608F-4R7K ORIGINAL 0603-4R7K | FCI1608F-4R7K.pdf | |
![]() | IRCM33 | IRCM33 IR QFN | IRCM33.pdf | |
![]() | LH52V246A | LH52V246A SHARP DIP28 | LH52V246A.pdf | |
![]() | ERJ8ENF1273V | ERJ8ENF1273V PANASONIC SMD or Through Hole | ERJ8ENF1273V.pdf | |
![]() | ZICM2410P2-2-B | ZICM2410P2-2-B CaliforniaEasternLaboratories SMD or Through Hole | ZICM2410P2-2-B.pdf |