홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTA113EM,315

NXP Semiconductors PDTA113EM,315

PDTA113EM,315
제조업체 부품 번호
PDTA113EM,315
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTA113EM,315 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 54.82000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTA113EM,315 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTA113EM,315 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTA113EM,315가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTA113EM,315 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTA113EM,315 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTA113EM,315
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTA113E Series
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)1k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)1k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 40mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 1.5mA, 30mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-101, SOT-883
공급 장치 패키지DFN1006-3
표준 포장 10,000
다른 이름934058825315
PDTA113EM T/R
PDTA113EM T/R-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTA113EM,315
관련 링크PDTA113, PDTA113EM,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTA113EM,315 의 관련 제품
33pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D330GLXAP.pdf
DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 BYX83TR.pdf
RES 180K OHM 1.5W 5% AXIAL CMF65180K00JLRE.pdf
KIT ENCODER 2CH 1000CPR 3MM HEDM-5500#B02.pdf
LM239DG4 TI/BB SOIC14 LM239DG4.pdf
PS2661-2 NEC SMD or Through Hole PS2661-2.pdf
FN670-1,8/06 SCHAF SMD or Through Hole FN670-1,8/06.pdf
S1D13305FOOB2 EPSON QFP S1D13305FOOB2.pdf
MAX4514CSA MAXIM SOP MAX4514CSA.pdf
TVB120MSB-L Raychem SMD or Through Hole TVB120MSB-L.pdf
M30W0R6500T0ZAQ ORIGINAL BGA M30W0R6500T0ZAQ.pdf
MTS2916A-HGC1 MICROCHIP SOP MTS2916A-HGC1.pdf