창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PDS760-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PDS760 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound/Solder Update 09/Jan/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1587 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 7A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 620mV @ 7A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200µA @ 60V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerDI™ 5 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI™ 5 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | PDS76013 PDS760DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PDS760-13 | |
| 관련 링크 | PDS76, PDS760-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RT1206DRD07931RL | RES SMD 931 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD07931RL.pdf | |
![]() | CRCW12107K68FKEAHP | RES SMD 7.68K OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW12107K68FKEAHP.pdf | |
![]() | 0805HQ-48NXJLB | 0805HQ-48NXJLB CAITCIAGT SMD or Through Hole | 0805HQ-48NXJLB.pdf | |
![]() | TC74AC164FT | TC74AC164FT TOSH SOP16 | TC74AC164FT.pdf | |
![]() | 2SC4868 | 2SC4868 SANYO S0T-323 | 2SC4868.pdf | |
![]() | K4H561638H-UIB0 | K4H561638H-UIB0 SAMSUNG TSOP | K4H561638H-UIB0.pdf | |
![]() | TRA3D-24VDC-S-2H | TRA3D-24VDC-S-2H ORIGINAL SMD or Through Hole | TRA3D-24VDC-S-2H.pdf | |
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![]() | 40R-JMDSS-G-1-TF(LF)(SN) | 40R-JMDSS-G-1-TF(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | 40R-JMDSS-G-1-TF(LF)(SN).pdf | |
![]() | SM8LZ52 | SM8LZ52 Toshiba TO-220F | SM8LZ52.pdf | |
![]() | LSP2200CAET | LSP2200CAET DIODES SOT23-3 | LSP2200CAET.pdf | |
![]() | HP32G561MRA | HP32G561MRA HIT DIP | HP32G561MRA.pdf |