창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PDB-C152SM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PDB-C152SM | |
| 주요제품 | Single-Element Silicon Pin Photodiodes | |
| 카탈로그 페이지 | 2780 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
| 제품군 | 광 센서 - 광 다이오드 | |
| 제조업체 | Luna Optoelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 파장 | 660nm | |
| 색상 - 강화 | 청색 | |
| 스펙트럼 범위 | 400nm ~ 1100nm | |
| 다이오드 유형 | PIN | |
| 응답성 @ nm | - | |
| 응답 시간 | 50ns | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 - 암전류(통상) | 2nA | |
| 작동 영역 | 1.66mm² | |
| 시야각 | 120° | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 80°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | PDB-C152SMTR PDBC152SM PT-PDB-C152SM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PDB-C152SM | |
| 관련 링크 | PDB-C1, PDB-C152SM 데이터 시트, Luna Optoelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | E36D201LPN123TEM9N | 12000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | E36D201LPN123TEM9N.pdf | |
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![]() | ELL-VGG220M | 22µH Shielded Wirewound Inductor 460mA 800 mOhm Nonstandard | ELL-VGG220M.pdf | |
![]() | RC1608F4422CS | RES SMD 44.2K OHM 1% 1/10W 0603 | RC1608F4422CS.pdf | |
![]() | SUB75N06-08 | SUB75N06-08 VISHAY TO-263 | SUB75N06-08.pdf | |
![]() | B65671D1000A048 | B65671D1000A048 EPCOS SMD or Through Hole | B65671D1000A048.pdf | |
![]() | SP14Q002-A1 | SP14Q002-A1 ORIGINAL SMD or Through Hole | SP14Q002-A1.pdf | |
![]() | 3386-1-104 | 3386-1-104 BAOTER DIP | 3386-1-104.pdf | |
![]() | HZU15B2TRF-EQ | HZU15B2TRF-EQ RENESAS SMD or Through Hole | HZU15B2TRF-EQ.pdf | |
![]() | UVV2803APG | UVV2803APG TOS DIP18 | UVV2803APG.pdf | |
![]() | UPD75512GF-224 | UPD75512GF-224 NEC QFP | UPD75512GF-224.pdf |