창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PD85035S-E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PD85035(S)-E | |
기타 관련 문서 | PD85035-E View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
주요제품 | PD84xxx and PD85xxx Series LDMOS Transistors | |
카탈로그 페이지 | 1542 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 870MHz | |
이득 | 17dB | |
전압 - 테스트 | 13.6V | |
정격 전류 | 8A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 350mA | |
전력 - 출력 | 15W | |
전압 - 정격 | 40V | |
패키지/케이스 | PowerSO-10 노출된 하단 패드 | |
공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(직선 리드(Lead)) | |
표준 포장 | 400 | |
다른 이름 | 497-8300 497-8300-5 497-8300-ND PD85035S-E-ND PD85035SE | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PD85035S-E | |
관련 링크 | PD8503, PD85035S-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | ISC1812ET4R7K | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 336mA 620 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ET4R7K.pdf | |
![]() | SCRH124B-560 | 56µH Shielded Inductor 1.77A 190 mOhm Max Nonstandard | SCRH124B-560.pdf | |
![]() | ERJ-14NF1182U | RES SMD 11.8K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-14NF1182U.pdf | |
![]() | RE0402DRE07665RL | RES SMD 665 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RE0402DRE07665RL.pdf | |
![]() | CRA12E0803-10330JTR | CRA12E0803-10330JTR ORIGINAL 1206X4 | CRA12E0803-10330JTR.pdf | |
![]() | 06032F683Z8B20D | 06032F683Z8B20D Y SMD or Through Hole | 06032F683Z8B20D.pdf | |
![]() | 216T9NFBGA13FH ATI9000 | 216T9NFBGA13FH ATI9000 ATI BGA | 216T9NFBGA13FH ATI9000.pdf | |
![]() | PEB34911H | PEB34911H infineon QFP | PEB34911H.pdf | |
![]() | DZ24200 | DZ24200 Panasonic TMiniP2-F2-B | DZ24200.pdf | |
![]() | RLZC9411TE11D | RLZC9411TE11D ROHM SMD or Through Hole | RLZC9411TE11D.pdf | |
![]() | HE2E337M30025HA180 | HE2E337M30025HA180 SAMWHA SMD or Through Hole | HE2E337M30025HA180.pdf |