창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PD85025STR-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PD85025-E | |
| 기타 관련 문서 | PD85025-E View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 870MHz | |
| 이득 | 17.3dB | |
| 전압 - 테스트 | 13.6V | |
| 정격 전류 | 7A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 300mA | |
| 전력 - 출력 | 10W | |
| 전압 - 정격 | 40V | |
| 패키지/케이스 | PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 직선 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(직선 리드(Lead)) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-12513-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PD85025STR-E | |
| 관련 링크 | PD85025, PD85025STR-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
| GBU6M | RECT BRIDGE GPP 6A 1000V GBU | GBU6M.pdf | ||
![]() | MCR10ERTJ185 | RES SMD 1.8M OHM 5% 1/8W 0805 | MCR10ERTJ185.pdf | |
![]() | YC102-JR-0739KL | RES ARRAY 2 RES 39K OHM 0302 | YC102-JR-0739KL.pdf | |
![]() | CRA06E0832K40JTA | RES ARRAY 4 RES 2.4K OHM 1206 | CRA06E0832K40JTA.pdf | |
![]() | PF1262-0R75F1 | RES 0.75 OHM 20W 1% TO126 | PF1262-0R75F1.pdf | |
![]() | MPC821ADI-SUN4 | MPC821ADI-SUN4 Freescale SMD or Through Hole | MPC821ADI-SUN4.pdf | |
![]() | PA33003-45MA-MT | PA33003-45MA-MT QUALCOMM SMD or Through Hole | PA33003-45MA-MT.pdf | |
![]() | BD67056EFV-E2 | BD67056EFV-E2 ROHM TSSOP | BD67056EFV-E2.pdf | |
![]() | LQM21PN1R5M | LQM21PN1R5M ORIGINAL SMD or Through Hole | LQM21PN1R5M.pdf | |
![]() | CR2505OHM5 | CR2505OHM5 BALDW SMD or Through Hole | CR2505OHM5.pdf | |
![]() | F0805B3R0GFWTR | F0805B3R0GFWTR ORIGINAL SMD or Through Hole | F0805B3R0GFWTR.pdf | |
![]() | 450-32 | 450-32 NS DIP-8 | 450-32.pdf |