창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PD57070-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PD57070(S)-E | |
| 기타 관련 문서 | PD57070-E View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 945MHz | |
| 이득 | 14.7dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | 7A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 250mA | |
| 전력 - 출력 | 70W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 성형 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(성형 리드(Lead)) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-6721-5 PD57070-E-ND PD57070E | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PD57070-E | |
| 관련 링크 | PD570, PD57070-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D1R9BXAAJ | 1.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R9BXAAJ.pdf | |
![]() | CMR04C150JPDR | CMR MICA | CMR04C150JPDR.pdf | |
![]() | SBR40U45CTB | SBR40U45CTB DIODES TO-263 | SBR40U45CTB.pdf | |
![]() | 7MBP150RH060 | 7MBP150RH060 FUJI SMD or Through Hole | 7MBP150RH060.pdf | |
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![]() | IC61LV5128AL-12TI | IC61LV5128AL-12TI ICSI TSOP | IC61LV5128AL-12TI.pdf | |
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![]() | 6187935 | 6187935 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6187935.pdf | |
![]() | STA264BP | STA264BP ORIGINAL QFP | STA264BP.pdf | |
![]() | SHP1260P-F100A | SHP1260P-F100A TOKYO SMD or Through Hole | SHP1260P-F100A.pdf |