창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PD57018-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PD57018(S)-E PD57018-E Datasheet | |
| 기타 관련 문서 | PD57018-E View All Specifications | |
| 애플리케이션 노트 | PowerSO-10RF SMD Package | |
| 제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 945MHz | |
| 이득 | 16.5dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | 2.5A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 100mA | |
| 전력 - 출력 | 18W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | PowerSO-10 노출된 하단 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 10-PowerSO | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-5305-5 PD57018E | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PD57018-E | |
| 관련 링크 | PD570, PD57018-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | C2012X7T2W473M125AE | 0.047µF 450V 세라믹 커패시터 X7T 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X7T2W473M125AE.pdf | |
![]() | IHSM5832EB5R6L | 5.6µH Unshielded Inductor 7A 24 mOhm Max Nonstandard | IHSM5832EB5R6L.pdf | |
![]() | MBA02040C1431FCT00 | RES 1.43K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1431FCT00.pdf | |
![]() | ST16C450IJ44-F | ST16C450IJ44-F EXAR SMD or Through Hole | ST16C450IJ44-F.pdf | |
![]() | TC1107-3.3VUA | TC1107-3.3VUA MIC TSSOP8 | TC1107-3.3VUA.pdf | |
![]() | SMA191BEA | SMA191BEA ORIGINAL SMD or Through Hole | SMA191BEA.pdf | |
![]() | MMBF2202 | MMBF2202 MOT SOT-220 | MMBF2202.pdf | |
![]() | TC29S1604AFT-10 | TC29S1604AFT-10 TOSHIBA TSOP44 | TC29S1604AFT-10.pdf | |
![]() | MAX1909ET | MAX1909ET ORIGINAL QFN | MAX1909ET.pdf | |
![]() | LTC2637-LMX12 | LTC2637-LMX12 LT SMD or Through Hole | LTC2637-LMX12.pdf | |
![]() | THGBM1G6D4EBAI4YCJ | THGBM1G6D4EBAI4YCJ Toshiba SMD or Through Hole | THGBM1G6D4EBAI4YCJ.pdf | |
![]() | M74HCT125RM013 | M74HCT125RM013 NSC NULL | M74HCT125RM013.pdf |