창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PD57006STR-E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PD57006(S)-E | |
기타 관련 문서 | PD57006-E View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
카탈로그 페이지 | 1542 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 945MHz | |
이득 | 15dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | 1A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 70mA | |
전력 - 출력 | 6W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 직선 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(직선 리드(Lead)) | |
표준 포장 | 600 | |
다른 이름 | 497-10098-2 PD57006STR-E-ND PD57006STRE | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PD57006STR-E | |
관련 링크 | PD57006, PD57006STR-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
P6KE160ATR | TVS DIODE 136VWM 219VC DO15 | P6KE160ATR.pdf | ||
STB2N62K3 | MOSFET N-CH 620V 2.2A D2PAK | STB2N62K3.pdf | ||
CSACV11M0T55J-R0 | CSACV11M0T55J-R0 MURATA SMD | CSACV11M0T55J-R0.pdf | ||
SDCL1005C15NJ | SDCL1005C15NJ Sunlord SMD or Through Hole | SDCL1005C15NJ.pdf | ||
7MBR35UA120 | 7MBR35UA120 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR35UA120.pdf | ||
S-24CS16A0I-J8T1G | S-24CS16A0I-J8T1G SII SOP-8 | S-24CS16A0I-J8T1G.pdf | ||
TK4A60DA(Q,M) | TK4A60DA(Q,M) TOS SMD or Through Hole | TK4A60DA(Q,M).pdf | ||
ZRA250F03 | ZRA250F03 ZETEX SOT-23 | ZRA250F03.pdf | ||
60HFU-200 | 60HFU-200 IR SMD or Through Hole | 60HFU-200.pdf | ||
OPL-06253-AGL | OPL-06253-AGL OPULAN BGA | OPL-06253-AGL.pdf | ||
ACRIAN | ACRIAN ORIGINAL SMD or Through Hole | ACRIAN.pdf |