창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PD57006-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PD57006(S)-E | |
| 기타 관련 문서 | PD57006-E View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 945MHz | |
| 이득 | 15dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | 1A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 70mA | |
| 전력 - 출력 | 6W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 성형 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(성형 리드(Lead)) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-6719-5 PD57006-E-ND PD57006E | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PD57006-E | |
| 관련 링크 | PD570, PD57006-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | KTR18EZPF1604 | RES SMD 1.6M OHM 1% 1/4W 1206 | KTR18EZPF1604.pdf | |
![]() | Y00901K20000F9L | RES 1.2K OHM 1W 1% AXIAL | Y00901K20000F9L.pdf | |
![]() | 3DG162E | 3DG162E CHINA SMD or Through Hole | 3DG162E.pdf | |
![]() | CT4-2F4-63V102M | CT4-2F4-63V102M ORIGINAL SMD or Through Hole | CT4-2F4-63V102M.pdf | |
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![]() | MT8980DE | MT8980DE MIT DIP-40 | MT8980DE .pdf | |
![]() | RSM200S-32.768-12.5-TR | RSM200S-32.768-12.5-TR Raltron SMD or Through Hole | RSM200S-32.768-12.5-TR.pdf | |
![]() | DTW630B273J | DTW630B273J SHINYEI SMD or Through Hole | DTW630B273J.pdf | |
![]() | AX5214BU | AX5214BU ASLIC DIP-40 | AX5214BU.pdf |