창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PD3Z284C6V8-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PD3Z284C2V4 - PD3Z284C39 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1576 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerDI™ 323 | |
공급 장치 패키지 | PowerDI™ 323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | PD3Z284C6V87 PD3Z284C6V8DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PD3Z284C6V8-7 | |
관련 링크 | PD3Z284, PD3Z284C6V8-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | GRM1887U1H8R8DZ01D | 8.8pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1887U1H8R8DZ01D.pdf | |
![]() | ELL-6UH470M | 47µH Shielded Wirewound Inductor 900mA 160 mOhm Nonstandard | ELL-6UH470M.pdf | |
![]() | IRFPE32 | IRFPE32 IR SMD or Through Hole | IRFPE32.pdf | |
![]() | XC2S200E-FT256 | XC2S200E-FT256 XILINX SMD or Through Hole | XC2S200E-FT256.pdf | |
![]() | MB90F488BPFV-G-SPE1 | MB90F488BPFV-G-SPE1 FUJITSU QFP | MB90F488BPFV-G-SPE1.pdf | |
![]() | L-932P3BT | L-932P3BT ORIGINAL ROHS | L-932P3BT.pdf | |
![]() | M2570-2BM | M2570-2BM MIC SOP8 | M2570-2BM.pdf | |
![]() | APM2522 | APM2522 ORIGINAL TO-252 | APM2522.pdf | |
![]() | PQV035ZA | PQV035ZA SAMSUNG SMD or Through Hole | PQV035ZA.pdf | |
![]() | LS022Q9PX05 | LS022Q9PX05 SHARP SMD or Through Hole | LS022Q9PX05.pdf | |
![]() | EGXE160ETD471MJ16S | EGXE160ETD471MJ16S Chemi-con NA | EGXE160ETD471MJ16S.pdf |