창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PD3Z284C3V3-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PD3Z284C2V4 - PD3Z284C39 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1576 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerDI™ 323 | |
공급 장치 패키지 | PowerDI™ 323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | PD3Z284C3V37 PD3Z284C3V3DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PD3Z284C3V3-7 | |
관련 링크 | PD3Z284, PD3Z284C3V3-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | BFC247965393 | 0.039µF Film Capacitor 200V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.728" L x 0.256" W (18.50mm x 6.50mm) | BFC247965393.pdf | |
![]() | 416F48025AKT | 48MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48025AKT.pdf | |
![]() | Y0066100R000B0L | RES 100 OHM 10W 0.1% RADIAL | Y0066100R000B0L.pdf | |
![]() | MS46SR-30-1920-Q1-00X-00R-NO-F | SYSTEM | MS46SR-30-1920-Q1-00X-00R-NO-F.pdf | |
![]() | 74LVC1G07ADYT/R TEL:82766440 | 74LVC1G07ADYT/R TEL:82766440 NXP SMD or Through Hole | 74LVC1G07ADYT/R TEL:82766440.pdf | |
![]() | K4S511633F-PL7 | K4S511633F-PL7 SAMSUNG BGA | K4S511633F-PL7.pdf | |
![]() | AF73 | AF73 MOT CAN | AF73.pdf | |
![]() | NT68275-00055 | NT68275-00055 NOVATEK DIP16 | NT68275-00055.pdf | |
![]() | 015Z2.4-Z | 015Z2.4-Z TOSHIBA SOD523 | 015Z2.4-Z.pdf | |
![]() | ADM1024JRU | ADM1024JRU AD SMD | ADM1024JRU.pdf | |
![]() | AT25256AN-20SU-2.7 | AT25256AN-20SU-2.7 ATMEL SOP-8 | AT25256AN-20SU-2.7.pdf | |
![]() | HP32V151MRY | HP32V151MRY HITACHI DIP | HP32V151MRY.pdf |