창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PD3Z284C33-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PD3Z284C2V4 - PD3Z284C39 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 카탈로그 페이지 | 1576 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 23.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerDI™ 323 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI™ 323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | PD3Z284C33DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PD3Z284C33-7 | |
| 관련 링크 | PD3Z284, PD3Z284C33-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | B32562J6155K | 1.5µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP | B32562J6155K.pdf | |
![]() | CRCW121820R0FKTK | RES SMD 20 OHM 1% 1W 1218 | CRCW121820R0FKTK.pdf | |
![]() | DM0365RL | DM0365RL FAIACHILD SOP8 | DM0365RL.pdf | |
![]() | 70006095163 | 70006095163 M SMD or Through Hole | 70006095163.pdf | |
![]() | 4246B-6 | 4246B-6 NARDA SMA | 4246B-6.pdf | |
![]() | T315MA250V | T315MA250V SCHU FUSE 5X20 | T315MA250V.pdf | |
![]() | KIA378R33PI-U/P | KIA378R33PI-U/P KEC SMD or Through Hole | KIA378R33PI-U/P.pdf | |
![]() | BBL-103-G-E | BBL-103-G-E ORIGINAL SMD or Through Hole | BBL-103-G-E.pdf | |
![]() | ERC331M25AT35 | ERC331M25AT35 Hitano SMD or Through Hole | ERC331M25AT35.pdf | |
![]() | NG82915GV(SL8BT) | NG82915GV(SL8BT) INTEL SMD or Through Hole | NG82915GV(SL8BT).pdf | |
![]() | KBH1QPDOOM-D414 | KBH1QPDOOM-D414 SAMSUNG BGA | KBH1QPDOOM-D414.pdf | |
![]() | STI5202RUD | STI5202RUD ORIGINAL TRAY | STI5202RUD.pdf |