창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PD3Z284C16-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PD3Z284C2V4 - PD3Z284C39 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1576 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 11.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerDI™ 323 | |
공급 장치 패키지 | PowerDI™ 323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | PD3Z284C167 PD3Z284C16DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PD3Z284C16-7 | |
관련 링크 | PD3Z284, PD3Z284C16-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | CGB1T3X6S0G104M022BB | 0.10µF 4V 세라믹 커패시터 X6S 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CGB1T3X6S0G104M022BB.pdf | |
![]() | BFC247965113 | 0.011µF Film Capacitor 200V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | BFC247965113.pdf | |
![]() | IMC1812ES1R5K | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 410mA 600 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ES1R5K.pdf | |
![]() | 5022R-181F | 180nH Unshielded Inductor 2.915A 43 mOhm Max 2-SMD | 5022R-181F.pdf | |
![]() | SC431LC5SK-.5TCR | SC431LC5SK-.5TCR SEMTECH SOT23-5 | SC431LC5SK-.5TCR.pdf | |
![]() | SN75ALS172NS | SN75ALS172NS TI SOP7 2mm | SN75ALS172NS.pdf | |
![]() | LH5256ZM | LH5256ZM SHARP SMD or Through Hole | LH5256ZM.pdf | |
![]() | PIC93LC86C-I/P | PIC93LC86C-I/P Microchip DIP-8 | PIC93LC86C-I/P.pdf | |
![]() | TYVSG450 | TYVSG450 N/A SMD or Through Hole | TYVSG450.pdf | |
![]() | Z/D BZX79C9V1(ROHS,AMMO,10K08 | Z/D BZX79C9V1(ROHS,AMMO,10K08 NXP SMD or Through Hole | Z/D BZX79C9V1(ROHS,AMMO,10K08.pdf | |
![]() | HSM24PT-GP | HSM24PT-GP CHENMKO SMA DO-214AC | HSM24PT-GP.pdf |