창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PD20010STR-E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PD20010-E | |
기타 관련 문서 | PD20010-E View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
카탈로그 페이지 | 1542 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 2GHz | |
이득 | 11dB | |
전압 - 테스트 | 13.6V | |
정격 전류 | 5A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 150mA | |
전력 - 출력 | 10W | |
전압 - 정격 | 40V | |
패키지/케이스 | PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 직선 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(직선 리드(Lead)) | |
표준 포장 | 600 | |
다른 이름 | 497-10095-2 PD20010STR-E-ND PD20010STRE | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PD20010STR-E | |
관련 링크 | PD20010, PD20010STR-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | F9DK1-P11G | F9DK1-P11G F QFP | F9DK1-P11G.pdf | |
![]() | T354F226K016AT | T354F226K016AT KEMET SMD or Through Hole | T354F226K016AT.pdf | |
![]() | UPC2303CA | UPC2303CA NEC DIP | UPC2303CA.pdf | |
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![]() | TC551001CF1-70L | TC551001CF1-70L TOSHBA SOP | TC551001CF1-70L.pdf | |
![]() | LM35J | LM35J ORIGINAL SMD or Through Hole | LM35J.pdf | |
![]() | DS1350WP+120IND | DS1350WP+120IND DALLAS PLCC | DS1350WP+120IND.pdf | |
![]() | 178-009-513R491 | 178-009-513R491 NRC SMD or Through Hole | 178-009-513R491.pdf | |
![]() | D014 | D014 ORIGINAL SOT-143 | D014.pdf | |
![]() | 301-20211 | 301-20211 NEC DIP | 301-20211.pdf | |
![]() | MS0302HAA15F | MS0302HAA15F ORIGINAL SMD or Through Hole | MS0302HAA15F.pdf | |
![]() | DS1634J-8MIL/883 | DS1634J-8MIL/883 DALLS DIP | DS1634J-8MIL/883.pdf |