창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PD20010STR-E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PD20010-E | |
기타 관련 문서 | PD20010-E View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
카탈로그 페이지 | 1542 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 2GHz | |
이득 | 11dB | |
전압 - 테스트 | 13.6V | |
정격 전류 | 5A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 150mA | |
전력 - 출력 | 10W | |
전압 - 정격 | 40V | |
패키지/케이스 | PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 직선 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(직선 리드(Lead)) | |
표준 포장 | 600 | |
다른 이름 | 497-10095-2 PD20010STR-E-ND PD20010STRE | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PD20010STR-E | |
관련 링크 | PD20010, PD20010STR-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 1210-821F | 820nH Unshielded Inductor 556mA 670 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | 1210-821F.pdf | |
![]() | CMF5515K800BHRE | RES 15.8K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5515K800BHRE.pdf | |
![]() | CMF604M2200FKEB | RES 4.22M OHM 1W 1% AXIAL | CMF604M2200FKEB.pdf | |
![]() | AME8800BEET 3V | AME8800BEET 3V AMEINC SOT23 | AME8800BEET 3V.pdf | |
![]() | GL6300-2.5ST25R | GL6300-2.5ST25R GLEAM SMD or Through Hole | GL6300-2.5ST25R.pdf | |
![]() | TCD-20-4+ | TCD-20-4+ MINI SMD or Through Hole | TCD-20-4+.pdf | |
![]() | ST10017 | ST10017 UC DIP | ST10017.pdf | |
![]() | M5M5V208AKV-70HWT | M5M5V208AKV-70HWT MITSUBIS TSOP | M5M5V208AKV-70HWT.pdf | |
![]() | 5499910-4 | 5499910-4 TE SMD or Through Hole | 5499910-4.pdf | |
![]() | 1N971-1 | 1N971-1 MICROSEMI SMD | 1N971-1.pdf |