창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PD10GE156 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PD10GE156 | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | Pericom | |
| 계열 | SaRonix-eCera™ ASSP XO™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | XO(표준) | |
| 주파수 | 156.25MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | PECL | |
| 전압 - 공급 | 3.3V | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 80mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.053"(1.35mm) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 30µA | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | PD10GE156-ND PD10GE156TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PD10GE156 | |
| 관련 링크 | PD10G, PD10GE156 데이터 시트, Pericom 에이전트 유통 | |
![]() | CD214A-T24ALF | TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AC | CD214A-T24ALF.pdf | |
![]() | DSC1103CE5-156.2500T | 156.25MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Standby (Power Down) | DSC1103CE5-156.2500T.pdf | |
![]() | RCP2512B82R0JWB | RES SMD 82 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512B82R0JWB.pdf | |
![]() | ALSR0550R00JE12 | RES 50 OHM 5W 5% AXIAL | ALSR0550R00JE12.pdf | |
![]() | BV038-5055.0 | BV038-5055.0 Pulse 12 VAC 267mA | BV038-5055.0.pdf | |
![]() | SMC65327M-3CP | SMC65327M-3CP SMC DIP | SMC65327M-3CP.pdf | |
![]() | SC-270-3 | SC-270-3 DDC SMD or Through Hole | SC-270-3.pdf | |
![]() | MBM29F033C-90 | MBM29F033C-90 FUJI SMD or Through Hole | MBM29F033C-90.pdf | |
![]() | ispLSI1032E-125LTN | ispLSI1032E-125LTN LATTICE TQFP100 | ispLSI1032E-125LTN.pdf | |
![]() | DBRJS66N6CY | DBRJS66N6CY AlphaManufacturi SMD or Through Hole | DBRJS66N6CY.pdf | |
![]() | 1N4492US | 1N4492US Microsemi SMD | 1N4492US.pdf | |
![]() | 3316S-1-203G | 3316S-1-203G BOURNS SMD or Through Hole | 3316S-1-203G.pdf |