창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PC3H4J00000F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PC3H4J00000F Series | |
카탈로그 페이지 | 2768 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 절연기 | |
제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
제조업체 | Sharp Microelectronics | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
채널 개수 | 1 | |
전압 - 분리 | 2500Vrms | |
전류 전달비(최소) | 20% @ 1mA | |
전류 전달비(최대) | 400% @ 1mA | |
턴온/턴오프(통상) | - | |
상승/하강 시간(통상) | 4µs, 3µs | |
입력 유형 | AC, DC | |
출력 유형 | 트랜지스터 | |
전압 - 출력(최대) | 80V | |
전류 - 출력/채널 | 50mA | |
전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.2V | |
전류 - DC 순방향(If) | 50mA | |
Vce 포화(최대) | 200mV | |
작동 온도 | -30°C ~ 100°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SOIC(0.173", 4.40mm) | |
공급 장치 패키지 | 4-Mini-Flat | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 425-2105-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PC3H4J00000F | |
관련 링크 | PC3H4J0, PC3H4J00000F 데이터 시트, Sharp Microelectronics 에이전트 유통 |
564RC0GAA302EP151J | 150pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 | 564RC0GAA302EP151J.pdf | ||
78438323015 | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 110 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | 78438323015.pdf | ||
CFM14JT62R0 | RES 62 OHM 1/4W 5% CF MINI | CFM14JT62R0.pdf | ||
S102K29Y5PN6VH5 (102K 1KV) | S102K29Y5PN6VH5 (102K 1KV) ORIGINAL SMD or Through Hole | S102K29Y5PN6VH5 (102K 1KV).pdf | ||
T285A506A/CPE | T285A506A/CPE ST QFP | T285A506A/CPE.pdf | ||
vesd03a1c-02z-g | vesd03a1c-02z-g vishay SMD or Through Hole | vesd03a1c-02z-g.pdf | ||
LT1278-4CSW | LT1278-4CSW LT SMD | LT1278-4CSW.pdf | ||
ZMM3.0D1 | ZMM3.0D1 VISHAY SMD or Through Hole | ZMM3.0D1.pdf | ||
CSI1161JI-28TE13 | CSI1161JI-28TE13 CATALY 8LDSOSI | CSI1161JI-28TE13.pdf | ||
TDA1515BQ/N2 | TDA1515BQ/N2 NXP/PH SMD or Through Hole | TDA1515BQ/N2.pdf | ||
7-1393090-0 | 7-1393090-0 Tyco con | 7-1393090-0.pdf | ||
CL31B102KI FNNN | CL31B102KI FNNN SAMSUNG SMD | CL31B102KI FNNN.pdf |