창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PC3H410NIP0F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PC3H41xNIP0F Series | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
| 제조업체 | Sharp Microelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 2500Vrms | |
| 전류 전달비(최소) | 50% @ 500µA | |
| 전류 전달비(최대) | 400% @ 500µA | |
| 턴온/턴오프(통상) | - | |
| 상승/하강 시간(통상) | 4µs, 3µs | |
| 입력 유형 | AC, DC | |
| 출력 유형 | 트랜지스터 | |
| 전압 - 출력(최대) | 80V | |
| 전류 - 출력/채널 | 50mA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.2V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 10mA | |
| Vce 포화(최대) | 200mV | |
| 작동 온도 | -30°C ~ 100°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SOIC(0.173", 4.40mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 4-Mini-Flat | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 425-2102-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PC3H410NIP0F | |
| 관련 링크 | PC3H410, PC3H410NIP0F 데이터 시트, Sharp Microelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 445C35G24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C35G24M57600.pdf | |
![]() | UNR9212G0L | TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 | UNR9212G0L.pdf | |
![]() | SB335L . | SB335L . MOT TO251 | SB335L ..pdf | |
![]() | MQLRF4N7DF2 | MQLRF4N7DF2 ORIGINAL 0402-4N7D | MQLRF4N7DF2.pdf | |
![]() | TA1915SB-50 | TA1915SB-50 YH NEW | TA1915SB-50.pdf | |
![]() | 20040 | 20040 AVERYDENNISON/WSI SMD or Through Hole | 20040.pdf | |
![]() | 7MBR35UA120 | 7MBR35UA120 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR35UA120.pdf | |
![]() | 040471J250A | 040471J250A N/A SMD or Through Hole | 040471J250A.pdf | |
![]() | TL431IYD | TL431IYD ST SO-8 | TL431IYD.pdf | |
![]() | PMB6850EV1.3C11 | PMB6850EV1.3C11 Infineon BGA | PMB6850EV1.3C11.pdf | |
![]() | ISL6614ACR | ISL6614ACR INTSRSIL QFN-16 | ISL6614ACR.pdf | |
![]() | EVM3WSX80BE3 2.2K | EVM3WSX80BE3 2.2K PANASONIC SMD or Through Hole | EVM3WSX80BE3 2.2K.pdf |