창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-PBU803 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | PBU803 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | PBU803 | |
관련 링크 | PBU, PBU803 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
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![]() | MBRB10H100CTHE3/45 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 | MBRB10H100CTHE3/45.pdf | |
![]() | LQH32DN220K53L | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 923 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | LQH32DN220K53L.pdf | |
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![]() | MA04-0623Q5GC | MA04-0623Q5GC HI-LIGHT ROHS | MA04-0623Q5GC.pdf | |
![]() | MAX6328-22D | MAX6328-22D PHI TO-23 | MAX6328-22D.pdf | |
![]() | HGTG20N60B3==Fairchild | HGTG20N60B3==Fairchild ORIGINAL TO-247 | HGTG20N60B3==Fairchild.pdf | |
![]() | LH68120 1M WRAM | LH68120 1M WRAM ORIGINAL SMD or Through Hole | LH68120 1M WRAM.pdf | |
![]() | TD2817 | TD2817 INTEL DIP | TD2817.pdf | |
![]() | MO2LT521R513J | MO2LT521R513J KOA SMD or Through Hole | MO2LT521R513J.pdf | |
![]() | LS142503PFRP | LS142503PFRP SAFT SMD or Through Hole | LS142503PFRP.pdf |