창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PBSS8110T,215 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PBSS8110T | |
| 주요제품 | NXP - I²C Interface | |
| PCN 설계/사양 | Copper Bond Wire 09/Jun/2013 Resin Hardener 02/Jul/2013 Copper Bond Wire 02/Sep/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1499 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 150 @ 250mA, 10V | |
| 전력 - 최대 | 480mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-4344-2 934057672215 PBSS8110T T/R PBSS8110T T/R-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PBSS8110T,215 | |
| 관련 링크 | PBSS811, PBSS8110T,215 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | RG2012V-3481-W-T1 | RES SMD 3.48KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-3481-W-T1.pdf | |
![]() | 330 35V 10*10 | 330 35V 10*10 ORIGINAL SMD or Through Hole | 330 35V 10*10.pdf | |
![]() | NE5151F | NE5151F S CDIP | NE5151F.pdf | |
![]() | B59940C0120A070 | B59940C0120A070 EPCOS DIP | B59940C0120A070.pdf | |
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