홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이 » PBSS5260PAP,115

NXP Semiconductors PBSS5260PAP,115

PBSS5260PAP,115
제조업체 부품 번호
PBSS5260PAP,115
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이
간단한 설명
TRANS 2PNP 60V 2A 6HUSON
데이터 시트 다운로드
다운로드
PBSS5260PAP,115 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 194.66853
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PBSS5260PAP,115 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PBSS5260PAP,115 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PBSS5260PAP,115가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PBSS5260PAP,115 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PBSS5260PAP,115 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PBSS5260PAP,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PBSS5260PAP
주요제품Double Transistors in DFN2020-6 Packages
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 PNP(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)60V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic500mV @ 200mA, 2A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce110 @ 1A, 2V
전력 - 최대510mW
주파수 - 트랜지션100MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-UDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지6-HUSON(2x2)
표준 포장 3,000
다른 이름568-10209-2
934066891115
PBSS5260PAP
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PBSS5260PAP,115
관련 링크PBSS5260P, PBSS5260PAP,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PBSS5260PAP,115 의 관련 제품
90MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable 7W90077001.pdf
RES SMD 47K OHM 0.1% 0.4W 2010 TNPW201047K0BETF.pdf
Pressure Sensor 7.25 PSI (50 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.17mm) Tube, Dual 0.06 V ~ 2.82 V 8-SMD, Gull Wing, Top Port MP3V5050GC6T1.pdf
LB T673-L2N1-35 OSRAM LED LB T673-L2N1-35.pdf
LD1117-18 ST/ROHS SOT223 LD1117-18.pdf
HDSP-5523. AGILENT DIP HDSP-5523..pdf
74LS174SCX FSC SOP 74LS174SCX.pdf
47C243N-FN27 ORIGINAL DIP 47C243N-FN27.pdf
1206YD106KAT1A AVX SMD 1206YD106KAT1A.pdf
FS5UM_10 ORIGINAL TO 220 FS5UM_10.pdf
CQB125-48S05 Cincon SMD or Through Hole CQB125-48S05.pdf