홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » PBSS5130QAZ

NXP Semiconductors PBSS5130QAZ

PBSS5130QAZ
제조업체 부품 번호
PBSS5130QAZ
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
PBSS5130QAZ 가격 및 조달

가능 수량

18550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 88.80305
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PBSS5130QAZ 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PBSS5130QAZ 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PBSS5130QAZ가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PBSS5130QAZ 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PBSS5130QAZ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PBSS5130QAZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PBSS5130QA
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)1A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)30V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic240mV @ 100mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce130 @ 1A, 2V
전력 - 최대325mW
주파수 - 트랜지션170MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지DFN1010D-3
표준 포장 5,000
다른 이름568-12541-2
PBSS5130QAZ-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PBSS5130QAZ
관련 링크PBSS51, PBSS5130QAZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PBSS5130QAZ 의 관련 제품
3300pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) LD061A332JAB2A.pdf
RES SMD 28.7KOHM 0.05% 1/4W 1206 RT1206WRD0728K7L.pdf
RES 25.5K OHM 1/2W 1% AXIAL RNF12FTC25K5.pdf
2SK161-O KEC SMD or Through Hole 2SK161-O.pdf
5962F8775802VXA ORIGINAL SMD or Through Hole 5962F8775802VXA.pdf
CD43728DM XILINX QFP CD43728DM.pdf
123300015803BL000 CHUNGHUAPlASTIC SMD or Through Hole 123300015803BL000.pdf
JT-5 SRM4.561.001 ORIGINAL SMD or Through Hole JT-5 SRM4.561.001.pdf
PTNET1150 TI BGA PTNET1150.pdf
HU31H472MCYWPEC HIT DIP HU31H472MCYWPEC.pdf
LY5103 LIANYI CSP-9 LY5103.pdf
CAT93C66LIG ON DIP CAT93C66LIG.pdf