홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » PBSS5130QA

NXP Semiconductors PBSS5130QA

PBSS5130QA
제조업체 부품 번호
PBSS5130QA
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 30V 1A 3DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PBSS5130QA 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 120.77200
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PBSS5130QA 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PBSS5130QA 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PBSS5130QA가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PBSS5130QA 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PBSS5130QA 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PBSS5130QA
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PBSS5130QA
주요제품DFN1010 Transistors in a 1.1 mm² Leadless Plastic Package
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)1A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)30V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic240mV @ 100mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce130 @ 1A, 2V
전력 - 최대325mW
주파수 - 트랜지션170MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지DFN1010D-3
표준 포장 5,000
다른 이름568-10936-2
934067167147
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PBSS5130QA
관련 링크PBSS51, PBSS5130QA 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PBSS5130QA 의 관련 제품
47µF 6.3V Aluminum Capacitors Axial, Can 7.6 Ohm @ 100Hz 20000 Hrs @ 125°C MAL212363479E3.pdf
68µF Niobium Oxide Capacitor 2.5V 2312 (6032 Metric) 400 mOhm ESR NOJW686M002RWJ.pdf
32.768kHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 400µA Enable/Disable KK3270007.pdf
82743 TI DIP8 82743.pdf
MST3383MB-LF-170 MSTAR QFP-128 MST3383MB-LF-170.pdf
VJ1206Y223KXATM VISHAY SMD VJ1206Y223KXATM.pdf
NEZA-18 ic SOP-8 NEZA-18.pdf
100370DC NSC SMD or Through Hole 100370DC.pdf
MCC132/16IO1b IXYS SMD or Through Hole MCC132/16IO1b.pdf
22552183 Molex SMD or Through Hole 22552183.pdf
6E17-C015P-AJ121 AMP SMD or Through Hole 6E17-C015P-AJ121.pdf
R2O-50V102MJ6 ELNA DIP R2O-50V102MJ6.pdf