NXP Semiconductors PBSS5112PAP,115
- 제조업체 부품 번호
- PBSS5112PAP,115
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 어레이
- 간단한 설명
- TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
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PBSS5112PAP,115 가격 및 조달
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8550 조각
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PBSS5112PAP,115 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PBSS5112PAP,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PBSS5112PAP | |
| 주요제품 | Double Transistors in DFN2020-6 Packages | |
| PCN 설계/사양 | Material Chg 14/Feb/2016 DFN2020-yy Series Assembly Materials Chg 17/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 120V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 480mV @ 100mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 510mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-HUSON(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-10205-2 934066894115 PBSS5112PAP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PBSS5112PAP,115 | |
| 관련 링크 | PBSS5112P, PBSS5112PAP,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
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