창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PBSS4612PA,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PBSS4612PA | |
주요제품 | NXP - I²C Interface | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 6A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 12V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 275mV @ 300mA, 6A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 260 @ 2A, 2V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
주파수 - 트랜지션 | 80MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-UDFN, 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 3-HUSON(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-6413-2 934063489115 PBSS4612PA,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PBSS4612PA,115 | |
관련 링크 | PBSS4612, PBSS4612PA,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
B43858T2686M | 68µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | B43858T2686M.pdf | ||
C322C152J1G5TA | 1500pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | C322C152J1G5TA.pdf | ||
V18MLE0603NH | VARISTOR 25V 0603 | V18MLE0603NH.pdf | ||
LP200F33IET | 20MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP200F33IET.pdf | ||
AOI2606 | MOSFET NCH 60V 46A TO251A | AOI2606.pdf | ||
OP240B | Infrared (IR) Emitter 890nm 1.8V 50mA 40° Radial | OP240B.pdf | ||
ERJ-S08F10R2V | RES SMD 10.2 OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-S08F10R2V.pdf | ||
XC3130-70PC68 | XC3130-70PC68 XC SMD or Through Hole | XC3130-70PC68.pdf | ||
12c508A04/P04U | 12c508A04/P04U MIC DIP8 | 12c508A04/P04U.pdf | ||
LXT9883AHC | LXT9883AHC INTEL SMD or Through Hole | LXT9883AHC.pdf | ||
269E1002-106MR | 269E1002-106MR MATSUO STOCK | 269E1002-106MR.pdf | ||
SI7886ADP-T1-E | SI7886ADP-T1-E VISHAY SO-8 | SI7886ADP-T1-E.pdf |