홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » PBSS3540MB,315

NXP Semiconductors PBSS3540MB,315

PBSS3540MB,315
제조업체 부품 번호
PBSS3540MB,315
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 40V 0.5A 3DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PBSS3540MB,315 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 192.74112
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PBSS3540MB,315 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PBSS3540MB,315 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PBSS3540MB,315가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PBSS3540MB,315 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PBSS3540MB,315 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PBSS3540MB,315
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PBSS3540MB DataSheet
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)40V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic50mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce200 @ 10mA, 2V
전력 - 최대250mW
주파수 - 트랜지션300MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XFDFN
공급 장치 패키지3-DFN1006B(.60x1)
표준 포장 10,000
다른 이름568-10520-2
934065878315
PBSS3540MB,315-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PBSS3540MB,315
관련 링크PBSS3540, PBSS3540MB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PBSS3540MB,315 의 관련 제품
0.016µF Film Capacitor 500V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) BFC237885163.pdf
OSC XO 1.8V 50MHZ OE SIT1602BI-82-18E-50.000000Y.pdf
SG103-5.1Z/883B SG CAN2 SG103-5.1Z/883B.pdf
BU2050 ROHM DIPSOP BU2050.pdf
CYS250G0101DX-ATC CYPRESS QFP CYS250G0101DX-ATC.pdf
LTC-3651Y LITEON ROHS LTC-3651Y.pdf
AME5248 AMEINC SOT23-5 AME5248.pdf
RO2101C RFM SMD or Through Hole RO2101C.pdf
T12T-C PANDUIT NaturalTeflon.12 T12T-C.pdf
KM616V4002AT12 SAM TSOP2 KM616V4002AT12.pdf
TC5816TR TOS TSSOP TC5816TR.pdf
20BRD48W12LC MR DIP8 20BRD48W12LC.pdf