창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PBSS2515M,315 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PBSS2515M T/R | |
주요제품 | NXP - I²C Interface | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 15V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 50mA, 500mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 2V | |
전력 - 최대 | 430mW | |
주파수 - 트랜지션 | 420MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
공급 장치 패키지 | DFN1006-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-7261-2 934057145315 PBSS2515M T/R PBSS2515M T/R-ND PBSS2515M,315-ND PBSS2515M315 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PBSS2515M,315 | |
관련 링크 | PBSS251, PBSS2515M,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | CX2520DB48000H0FLJC1 | 48MHz ±10ppm 수정 12pF 50옴 -30°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2520DB48000H0FLJC1.pdf | |
![]() | MCR18ERTJ335 | RES SMD 3.3M OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18ERTJ335.pdf | |
![]() | HRG3216P-2611-D-T5 | RES SMD 2.61K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-2611-D-T5.pdf | |
![]() | RNF14FTD549R | RES 549 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD549R.pdf | |
![]() | CPSL03R0500JB143 | RES 0.05 OHM 3W 5% 4LEAD | CPSL03R0500JB143.pdf | |
![]() | 1SD418F2-FZ2400R17KF6 | 1SD418F2-FZ2400R17KF6 infineon SMD or Through Hole | 1SD418F2-FZ2400R17KF6.pdf | |
![]() | TCF20B60 | TCF20B60 NIEC TO-263 | TCF20B60.pdf | |
![]() | C2012CH1H090D | C2012CH1H090D TDK SMD or Through Hole | C2012CH1H090D.pdf | |
![]() | BSS80BTA | BSS80BTA ZETEX SOT-23 | BSS80BTA.pdf | |
![]() | DCX78EF0D7AE2BNC | DCX78EF0D7AE2BNC DSPG SMD or Through Hole | DCX78EF0D7AE2BNC.pdf | |
![]() | 56P50V | 56P50V ORIGINAL SMD or Through Hole | 56P50V.pdf | |
![]() | UCN5841 | UCN5841 udn DIP | UCN5841.pdf |