창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PBLS6002D,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PBLS6002D | |
주요제품 | NXP - I²C Interface | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 1 NPN 사전 바이어싱, 1 PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA, 700mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V, 60V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 4.7k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA, 100nA | |
주파수 - 트랜지션 | 185MHz | |
전력 - 최대 | 600mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-7250-2 934059265115 PBLS6002D T/R PBLS6002D T/R-ND PBLS6002D,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PBLS6002D,115 | |
관련 링크 | PBLS600, PBLS6002D,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
T627082584DN | SCR FAST SW 800V 250A TO200AB | T627082584DN.pdf | ||
Y0786150R000F0L | RES 150 OHM 0.6W 1% RADIAL | Y0786150R000F0L.pdf | ||
CCR05CG221FR | CCR05CG221FR AVX SMD or Through Hole | CCR05CG221FR.pdf | ||
R23001.5DRT1W(1.5A) | R23001.5DRT1W(1.5A) LITTELFUSE DIP | R23001.5DRT1W(1.5A).pdf | ||
6032.101.501 | 6032.101.501 VARTAMICROBATTERY SMD or Through Hole | 6032.101.501.pdf | ||
TFR100M2WI20R | TFR100M2WI20R JAMICON Call | TFR100M2WI20R.pdf | ||
MPS-A92 | MPS-A92 KEC TO92 | MPS-A92.pdf | ||
LA7601 | LA7601 SANYO DIP | LA7601.pdf | ||
SI3442BDV-T1-E3-CO | SI3442BDV-T1-E3-CO VISHAY 2012 | SI3442BDV-T1-E3-CO.pdf | ||
BUK7606-30A | BUK7606-30A PHILIPS SOT-263 | BUK7606-30A.pdf | ||
KT3040J | KT3040J SAMSUNG CDIP | KT3040J.pdf |