창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PBLS4003D,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PBLS4003D | |
주요제품 | NXP - I²C Interface | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 1 NPN 사전 바이어싱, 1 PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA, 700mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V, 40V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA, 100nA | |
주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
전력 - 최대 | 600mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-7239-2 934058641115 PBLS4003D T/R PBLS4003D T/R-ND PBLS4003D,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PBLS4003D,115 | |
관련 링크 | PBLS400, PBLS4003D,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | DEA1X3F180JCDB | 18pF 3150V(3.15kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | DEA1X3F180JCDB.pdf | |
![]() | MF-R250-0-99 | FUSE PTC RESET | MF-R250-0-99.pdf | |
![]() | CR0805JW103E | CR0805JW103E BOURNS SMD or Through Hole | CR0805JW103E.pdf | |
![]() | A807DW-24 | A807DW-24 ORIGINAL BGA | A807DW-24.pdf | |
![]() | 580704N5AA48VW | 580704N5AA48VW TI QFP | 580704N5AA48VW.pdf | |
![]() | NEAB6456 | NEAB6456 ORIGINAL SOP8 | NEAB6456.pdf | |
![]() | 9-390111-200 | 9-390111-200 AMP SMD or Through Hole | 9-390111-200.pdf | |
![]() | LQP03TN0N6C00D | LQP03TN0N6C00D MURATA SMD | LQP03TN0N6C00D.pdf | |
![]() | 18.000M | 18.000M ORIGINAL SMD or Through Hole | 18.000M.pdf | |
![]() | GEFORCE 6200TC | GEFORCE 6200TC ORIGINAL SMD or Through Hole | GEFORCE 6200TC.pdf | |
![]() | A43L0616BV-7F/ATT | A43L0616BV-7F/ATT AMIC TSOP | A43L0616BV-7F/ATT.pdf |