홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » PBLS2022D,115

NXP Semiconductors PBLS2022D,115

PBLS2022D,115
제조업체 부품 번호
PBLS2022D,115
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP
데이터 시트 다운로드
다운로드
PBLS2022D,115 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 164.71953
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PBLS2022D,115 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PBLS2022D,115 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PBLS2022D,115가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PBLS2022D,115 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PBLS2022D,115 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PBLS2022D,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PBLS2022D
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 PNP 사전 바이어싱, 1 PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA, 1.8A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V, 20V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)4.7k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V / 200 @ 1A, 2V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA, 100nA
주파수 - 트랜지션130MHz
전력 - 최대760mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-74, SOT-457
공급 장치 패키지6-TSOP
표준 포장 3,000
다른 이름568-12673-2
934061574115
PBLS2022D,115-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PBLS2022D,115
관련 링크PBLS202, PBLS2022D,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PBLS2022D,115 의 관련 제품
10pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.291" Dia(7.40mm) 564R2DF0Q10.pdf
RES SMD 10.5 OHM 0.5% 1/8W 0805 RT0805DRE0710R5L.pdf
RES SMD 5.1K OHM 0.5% 1/10W 0805 Y11725K10000D9W.pdf
3R90-8 ORIGINAL 8X10 3R90-8.pdf
2SD1858-TV2R ROHM TO92L 2SD1858-TV2R.pdf
5082-7340- HP DIP 5082-7340-.pdf
1ST6-0004 AGILENT CBGA 1ST6-0004.pdf
LT1055AH/883 LINEAR CAN8 LT1055AH/883.pdf
L01HAB NS QFN L01HAB.pdf
XCS05-3VQ-100I XILINX TQFP-100 XCS05-3VQ-100I.pdf
NX6410GH renesas CAN4 NX6410GH.pdf