창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PBLS2003D,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PBLS2003D T/R | |
| 주요제품 | NXP - I²C Interface | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN 사전 바이어싱, 1 PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA, 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V, 20V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA, 100nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 185MHz | |
| 전력 - 최대 | 600mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-7230-2 934059272115 PBLS2003D T/R PBLS2003D T/R-ND PBLS2003D,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PBLS2003D,115 | |
| 관련 링크 | PBLS200, PBLS2003D,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | DRA1-CMX200D3 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) Module | DRA1-CMX200D3.pdf | |
![]() | SDKZ1F0200、SDKZ1G0200 | SDKZ1F0200、SDKZ1G0200 ALPS SMD or Through Hole | SDKZ1F0200、SDKZ1G0200.pdf | |
![]() | LYE65F | LYE65F OSRAM SMD or Through Hole | LYE65F.pdf | |
![]() | M1106030D1602DP500 | M1106030D1602DP500 VISHAY SMD or Through Hole | M1106030D1602DP500.pdf | |
![]() | 1210-6.49M | 1210-6.49M ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210-6.49M.pdf | |
![]() | DLW5BSN102SQ2L-MUR/R | DLW5BSN102SQ2L-MUR/R MUR SMD or Through Hole | DLW5BSN102SQ2L-MUR/R.pdf | |
![]() | BCR181000FT | BCR181000FT N/A SMD or Through Hole | BCR181000FT.pdf | |
![]() | RPF88163 | RPF88163 RENESAS SMD or Through Hole | RPF88163.pdf | |
![]() | LY62L1024RN-55LL | LY62L1024RN-55LL LYONTEK TSOP32 | LY62L1024RN-55LL.pdf |