창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PBLS2002D,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PBLS2002D T/R | |
주요제품 | NXP - I²C Interface | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 1 NPN 사전 바이어싱, 1 PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA, 1A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V, 20V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 4.7k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA, 100nA | |
주파수 - 트랜지션 | 185MHz | |
전력 - 최대 | 600mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-7228-2 934059271115 PBLS2002D T/R PBLS2002D T/R-ND PBLS2002D,115-ND PBLS2002D115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PBLS2002D,115 | |
관련 링크 | PBLS200, PBLS2002D,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
1.5KE16CA-T | TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO201A | 1.5KE16CA-T.pdf | ||
BZX84C5V1W-7-F | DIODE ZENER 5.1V 200MW SOT323 | BZX84C5V1W-7-F.pdf | ||
PBSS8110Y,115 | TRANS NPN 100V 1A 6TSSOP | PBSS8110Y,115.pdf | ||
RR02JR68TB | RES 0.68 OHM 2W 5% AXIAL | RR02JR68TB.pdf | ||
ACT16825 | ACT16825 ORIGINAL SMD-56 | ACT16825.pdf | ||
CR1410 | CR1410 ORIGINAL SOP-8 | CR1410.pdf | ||
MAX529CWGT | MAX529CWGT MAXIM SMD or Through Hole | MAX529CWGT.pdf | ||
MIC4830CYML | MIC4830CYML MICREL SMD or Through Hole | MIC4830CYML.pdf | ||
LT1933IDCB#TRPBF | LT1933IDCB#TRPBF LT QFN6 | LT1933IDCB#TRPBF.pdf | ||
SEMRX353GB126HDS | SEMRX353GB126HDS SEMIKRON MODULE | SEMRX353GB126HDS.pdf | ||
XCV2000E-4FF1156C | XCV2000E-4FF1156C XILINX BGA | XCV2000E-4FF1156C.pdf |