창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PBJ201209T-800Y-N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | PBJ201209T-800Y-N | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | PBJ201209T-800Y-N | |
| 관련 링크 | PBJ201209T, PBJ201209T-800Y-N 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D110FXXAC | 11pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D110FXXAC.pdf | |
![]() | ASTMHTE-10.000MHZ-AR-E-T | 10MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-10.000MHZ-AR-E-T.pdf | |
![]() | UM6K33NTN | MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 | UM6K33NTN.pdf | |
![]() | CDEIR8D38FNP-6R3NC | 6.3µH Shielded Inductor 4.1A 30.7 mOhm Max Nonstandard | CDEIR8D38FNP-6R3NC.pdf | |
![]() | MCT06030D1131BP100 | RES SMD 1.13KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D1131BP100.pdf | |
![]() | QFBR5313 | QFBR5313 HP SMD or Through Hole | QFBR5313.pdf | |
![]() | ATF1500A-10JI | ATF1500A-10JI N/A PLCC | ATF1500A-10JI.pdf | |
![]() | IR264 | IR264 EVERLIGHT DIP-2 | IR264.pdf | |
![]() | 1N4752(33V) | 1N4752(33V) ST DO-41 | 1N4752(33V).pdf | |
![]() | ALC12A102DH350 | ALC12A102DH350 BHC SMD or Through Hole | ALC12A102DH350.pdf | |
![]() | IA82510-PLC28I(01) | IA82510-PLC28I(01) innovASIC PLCC-28P | IA82510-PLC28I(01).pdf | |
![]() | CL21T020CBAANNC | CL21T020CBAANNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL21T020CBAANNC.pdf |