창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PAT1206E10R0BST1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PAT Series Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | PAT Series Overview | |
| 주요제품 | PAT Series Thin Film Chip Resistors | |
| PCN 기타 | TF-002-2014-Rev-0 04/Feb/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2213 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Vishay Thin Film | |
| 계열 | PAT | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 10 | |
| 허용 오차 | ±0.1% | |
| 전력(와트) | 0.4W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | 황화 방지, 자동차 AEC-Q200 자격 취득, 내습성 | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1206 | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 | 0.018"(0.46mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | PAT10.0CTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PAT1206E10R0BST1 | |
| 관련 링크 | PAT1206E1, PAT1206E10R0BST1 데이터 시트, Vishay Thin Film 에이전트 유통 | |
![]() | 402F307XXCLT | 30.72MHz ±15ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F307XXCLT.pdf | |
![]() | ERA-8ARW6341V | RES SMD 6.34KOHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW6341V.pdf | |
![]() | M1644T A1 | M1644T A1 ALI SMD or Through Hole | M1644T A1.pdf | |
![]() | TM6047E0010A | TM6047E0010A DSP QFP | TM6047E0010A.pdf | |
![]() | PZ1608U221-2R0T(F) | PZ1608U221-2R0T(F) Sunload SMD or Through Hole | PZ1608U221-2R0T(F).pdf | |
![]() | UC3715NG4 | UC3715NG4 TEXAS PDIP | UC3715NG4.pdf | |
![]() | P4N80FI | P4N80FI ORIGINAL SMD or Through Hole | P4N80FI.pdf | |
![]() | CIC21P110NC | CIC21P110NC SAMSUNG SMD | CIC21P110NC.pdf | |
![]() | SMR40200C/SMR40200 | SMR40200C/SMR40200 SK TO3P-5 | SMR40200C/SMR40200.pdf | |
![]() | 74LVC00ADBR | 74LVC00ADBR TI SSOP14 | 74LVC00ADBR.pdf | |
![]() | MAX2338 | MAX2338 MAX QFN | MAX2338.pdf | |
![]() | ds1804z-010-t-r | ds1804z-010-t-r mxm SMD or Through Hole | ds1804z-010-t-r.pdf |