창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PAT0805E25R0BST1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PAT Series Datasheet | |
제품 교육 모듈 | PAT Series Overview | |
주요제품 | PAT Series Thin Film Chip Resistors | |
PCN 기타 | TF-002-2014-Rev-0 04/Feb/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2213 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Vishay Thin Film | |
계열 | PAT | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 25 | |
허용 오차 | ±0.1% | |
전력(와트) | 0.2W, 1/5W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 황화 방지, 자동차 AEC-Q200 자격 취득, 내습성 | |
온도 계수 | ±25ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | |
높이 | 0.018"(0.46mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | PAT25.0BTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PAT0805E25R0BST1 | |
관련 링크 | PAT0805E2, PAT0805E25R0BST1 데이터 시트, Vishay Thin Film 에이전트 유통 |
DMT6017LSS-13 | MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8 | DMT6017LSS-13.pdf | ||
IXFT7N90Q | MOSFET N-CH 900V 7A TO-268 | IXFT7N90Q.pdf | ||
PRL1632-R016-F-T1 | RES SMD 0.016 OHM 1W 1206 WIDE | PRL1632-R016-F-T1.pdf | ||
TMC3KJ-B50K-TR/D | TMC3KJ-B50K-TR/D NOBLE 3x3 | TMC3KJ-B50K-TR/D.pdf | ||
838CCC6482 | 838CCC6482 NSC SO-8 | 838CCC6482.pdf | ||
HN27C64G-2 | HN27C64G-2 ORIGINAL DIP | HN27C64G-2.pdf | ||
CXA8091Q-MPB | CXA8091Q-MPB SONY QFP | CXA8091Q-MPB.pdf | ||
A3250LLTTR-T | A3250LLTTR-T ALLEGRO SOT23W | A3250LLTTR-T.pdf | ||
JCP8060A-NVA | JCP8060A-NVA RENESAS QFP | JCP8060A-NVA.pdf | ||
SC310BSK.TRT | SC310BSK.TRT SEMTECH SMD or Through Hole | SC310BSK.TRT.pdf | ||
S-93C56BD0I-D8S1G | S-93C56BD0I-D8S1G SEIKO DIP-8 | S-93C56BD0I-D8S1G.pdf | ||
RVD-16V221MG68-R2 | RVD-16V221MG68-R2 ELNA SMD | RVD-16V221MG68-R2.pdf |