창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PAT0603E83R5BST1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PAT Series Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | PAT Series Overview | |
| 주요제품 | PAT Series Thin Film Chip Resistors | |
| PCN 기타 | TF-002-2014-Rev-0 04/Feb/2014 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Vishay Thin Film | |
| 계열 | PAT | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 83.5 | |
| 허용 오차 | ±0.1% | |
| 전력(와트) | 0.15W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | 황화 방지, 자동차 AEC-Q200 자격 취득, 내습성 | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0603 | |
| 크기/치수 | 0.064" L x 0.032" W(1.63mm x 0.81mm) | |
| 높이 | 0.018"(0.46mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PAT0603E83R5BST1 | |
| 관련 링크 | PAT0603E8, PAT0603E83R5BST1 데이터 시트, Vishay Thin Film 에이전트 유통 | |
| 450BXW56MEFC12.5X40 | 56µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | 450BXW56MEFC12.5X40.pdf | ||
![]() | E36D500LPN763TEE3M | 76000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | E36D500LPN763TEE3M.pdf | |
| EWT50JB1K50 | RES CHAS MNT 1.5K OHM 5% 50W | EWT50JB1K50.pdf | ||
![]() | VR25000002705JR500 | RES 27M OHM 1/4W 5% AXIAL | VR25000002705JR500.pdf | |
![]() | CVR42A204SW1C30 | CVR42A204SW1C30 KYOCERA SMD or Through Hole | CVR42A204SW1C30.pdf | |
![]() | BUK139-50DL.118 | BUK139-50DL.118 NXP SMD or Through Hole | BUK139-50DL.118.pdf | |
![]() | 5731/883 | 5731/883 ORIGINAL CDIP8 | 5731/883.pdf | |
![]() | HT25-19 | HT25-19 ORIGINAL SMD or Through Hole | HT25-19.pdf | |
![]() | 91-21UYOC/S530-A2 | 91-21UYOC/S530-A2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 91-21UYOC/S530-A2.pdf | |
![]() | BZX84-C6V2/215 | BZX84-C6V2/215 NXP SOP | BZX84-C6V2/215.pdf | |
![]() | UDZS10V | UDZS10V ROHM SOD-323 | UDZS10V.pdf | |
![]() | MAX3222EIPWR | MAX3222EIPWR TEXASINSTRUMENTS SMD or Through Hole | MAX3222EIPWR.pdf |