창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-P6SMB39AT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | (SZ)P6SMB6.8AT3G Series | |
PCN 조립/원산지 | SMB Schottky and Ultrafast Rectifiers 17/Sep/2013 | |
카탈로그 페이지 | 2385 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 33.3V | |
전압 - 항복(최소) | 37.1V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 53.9V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 11.2A | |
전력 - 피크 펄스 | 600W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 자동차 | |
정전 용량 @ 주파수 | 500pF @ 1MHz | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMB | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | P6SMB39AT3GOS P6SMB39AT3GOS-ND P6SMB39AT3GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | P6SMB39AT3G | |
관련 링크 | P6SMB3, P6SMB39AT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
7M32070002 | 32MHz ±10ppm 수정 10pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M32070002.pdf | ||
416F250X3ADR | 25MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250X3ADR.pdf | ||
SMF5510RJT | RES SMD 510 OHM 5% 5W 5329 | SMF5510RJT.pdf | ||
TLC2252CP/CDR | TLC2252CP/CDR ORIGINAL 04+ | TLC2252CP/CDR.pdf | ||
E36F501CPN182MDA5M | E36F501CPN182MDA5M NIPPONCHEMI-COM DIP | E36F501CPN182MDA5M.pdf | ||
40171RIA | 40171RIA N/A QFP | 40171RIA.pdf | ||
AM188EM-20VD | AM188EM-20VD ORIGINAL QFP | AM188EM-20VD.pdf | ||
HYB18T256321F-22C | HYB18T256321F-22C INFINEON BGA | HYB18T256321F-22C.pdf | ||
CS8182DTG | CS8182DTG ON N A | CS8182DTG.pdf | ||
RTT02000JTH | RTT02000JTH ORIGINAL SMD or Through Hole | RTT02000JTH.pdf | ||
TA-CHIPVSTANDARD47UF | TA-CHIPVSTANDARD47UF EPCOSBEMV X | TA-CHIPVSTANDARD47UF.pdf | ||
UKL2A220MPA1TD | UKL2A220MPA1TD NICHICON SMD or Through Hole | UKL2A220MPA1TD.pdf |