창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-P6KE33AE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | P6KE6.8 - 200CA(e3) Datasheet | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 28.2V | |
전압 - 항복(최소) | 31.4V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 45.7V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 13.2A | |
전력 - 피크 펄스 | 600W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | P6KE33AE3/TR13TR P6KE33AE3MSTR P6KE33AE3MSTR-ND P6KE33AMSTR P6KE33AMSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | P6KE33AE3/TR13 | |
관련 링크 | P6KE33AE, P6KE33AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SMBJ9.0CE3/TR13 | TVS DIODE 9VWM 16.9VC SMBJ | SMBJ9.0CE3/TR13.pdf | |
![]() | SIT5001AC-GE-33N0-32.768000T | OSC XO 3.3V 32.768MHZ NC | SIT5001AC-GE-33N0-32.768000T.pdf | |
![]() | CMF557R0000FKBF | RES 7 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF557R0000FKBF.pdf | |
![]() | IMB326515C | Inductive Proximity Sensor 0.591" (15mm) | IMB326515C.pdf | |
![]() | 5603R1C-KHC-B | 5603R1C-KHC-B HUIYUAN ROHS | 5603R1C-KHC-B.pdf | |
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![]() | BAT6202WE6327 | BAT6202WE6327 inf INSTOCKPACKtrsm | BAT6202WE6327.pdf | |
![]() | FVDWS5.5-8TOR(LF) | FVDWS5.5-8TOR(LF) JST SMD or Through Hole | FVDWS5.5-8TOR(LF).pdf | |
![]() | 0603 272 J 25V | 0603 272 J 25V ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603 272 J 25V.pdf | |
![]() | P80C86-2 | P80C86-2 INTEL DIP40 | P80C86-2.pdf | |
![]() | LNT308G8JRA | LNT308G8JRA ORIGINAL SMD or Through Hole | LNT308G8JRA.pdf | |
![]() | VC2599-0001 | VC2599-0001 VLSI PZCS-ZZ | VC2599-0001.pdf |