창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-P6KE200AE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | P6KE6.8 - 200CA(e3) Datasheet | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 171V | |
| 전압 - 항복(최소) | 190V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 274V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 2.2A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 600W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | 축방향 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | P6KE200AE3/TR13TR P6KE200AE3MSTR P6KE200AE3MSTR-ND P6KE200AMSTR P6KE200AMSTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | P6KE200AE3/TR13 | |
| 관련 링크 | P6KE200AE, P6KE200AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 08055K470JBTTR | 47pF Thin Film Capacitor 50V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08055K470JBTTR.pdf | |
![]() | 1.5SMC30A-E3/57T | TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC DO214AB | 1.5SMC30A-E3/57T.pdf | |
![]() | XBDAWT-00-0000-00000H9E6 | LED Lighting XLamp® XB-D White, Warm 3500K 2.9V 350mA 115° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XBDAWT-00-0000-00000H9E6.pdf | |
![]() | MHQ1005P1N2BT000 | 1.2nH Unshielded Multilayer Inductor 1.2A 30 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MHQ1005P1N2BT000.pdf | |
![]() | MC9RS08SA4CWJ | MC9RS08SA4CWJ FREESCALE SOP20 | MC9RS08SA4CWJ.pdf | |
![]() | MC145145L | MC145145L MOT SMD or Through Hole | MC145145L.pdf | |
![]() | LMC622CN | LMC622CN NSC DIP-18 | LMC622CN.pdf | |
![]() | 12062B475K7BB0D | 12062B475K7BB0D YAGEO SMD | 12062B475K7BB0D.pdf | |
![]() | IRF7341(9102035) | IRF7341(9102035) INTERNATIONALRECTIFI SMD or Through Hole | IRF7341(9102035).pdf | |
![]() | TPS54332 | TPS54332 TI SOP | TPS54332.pdf | |
![]() | 2SKJ302-Z-E1 | 2SKJ302-Z-E1 Toshiba SMD or Through Hole | 2SKJ302-Z-E1.pdf |