창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-P1812R-562J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | P1812(R) Series | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | API Delevan Inc. | |
| 계열 | P1812R | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | - | |
| 소재 - 코어 | 페라이트 | |
| 유도 용량 | 5.6µH | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 정격 전류 | 650mA | |
| 전류 - 포화 | 1.06A | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 437m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | - | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 1kHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 비표준 | |
| 크기/치수 | 0.190" L x 0.134" W(4.83mm x 3.40mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.134"(3.40mm) | |
| 표준 포장 | 650 | |
| 다른 이름 | P1812R-562JTR 650 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | P1812R-562J | |
| 관련 링크 | P1812R, P1812R-562J 데이터 시트, API Delevan Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 416F32013IDR | 32MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32013IDR.pdf | |
![]() | XQEAWT-H0-0000-00000BEE5 | LED Lighting XLamp® XQ-E White, Neutral 4000K 2.9V 350mA 110° 0606 (1616 Metric) | XQEAWT-H0-0000-00000BEE5.pdf | |
![]() | CRCW201082R5FKTF | RES SMD 82.5 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201082R5FKTF.pdf | |
![]() | SI-8821L | SI-8821L SAKAN DIP-9 | SI-8821L.pdf | |
![]() | BD46251G | BD46251G ROHM SOT-153 | BD46251G.pdf | |
![]() | EBG9215 | EBG9215 ORIGINAL SMD or Through Hole | EBG9215.pdf | |
![]() | 8230-38-TR-RC | 8230-38-TR-RC BOURNS Axial | 8230-38-TR-RC.pdf | |
![]() | HIP809SEUR-T | HIP809SEUR-T HIP SOT23-3 | HIP809SEUR-T.pdf | |
![]() | 215R6VALAZ1 | 215R6VALAZ1 ATI BGA | 215R6VALAZ1.pdf | |
![]() | WP1413GDT | WP1413GDT kingbright DIP | WP1413GDT.pdf | |
![]() | WY60W | WY60W ORIGINAL SMD or Through Hole | WY60W.pdf | |
![]() | TSR6-NP | TSR6-NP LEM SMD or Through Hole | TSR6-NP.pdf |