창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-P1812R-182J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | P1812(R) Series | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | API Delevan Inc. | |
| 계열 | P1812R | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | - | |
| 소재 - 코어 | 페라이트 | |
| 유도 용량 | 1.8µH | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 정격 전류 | 900mA | |
| 전류 - 포화 | 1.828A | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 240m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | - | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 1kHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 비표준 | |
| 크기/치수 | 0.190" L x 0.134" W(4.83mm x 3.40mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.134"(3.40mm) | |
| 표준 포장 | 650 | |
| 다른 이름 | P1812R-182JTR 650 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | P1812R-182J | |
| 관련 링크 | P1812R, P1812R-182J 데이터 시트, API Delevan Inc. 에이전트 유통 | |
|  | T350F336K010AT | 33µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V Radial 2.1 Ohm 0.236" Dia (6.00mm) | T350F336K010AT.pdf | |
|  | TA025PW100RJ | RES 100 OHM 25W 5% RADIAL | TA025PW100RJ.pdf | |
|  | AMS1117-1.8V/3.3V/ADJ | AMS1117-1.8V/3.3V/ADJ AMS SOT-89 | AMS1117-1.8V/3.3V/ADJ.pdf | |
|  | 8812CSDNG4GJ6 | 8812CSDNG4GJ6 TOSHIBA DIP | 8812CSDNG4GJ6.pdf | |
|  | HY514264B-JC60 | HY514264B-JC60 HY SOJ | HY514264B-JC60.pdf | |
|  | DF23C-60DP-0.5V(92) | DF23C-60DP-0.5V(92) Hirose SMD or Through Hole | DF23C-60DP-0.5V(92).pdf | |
|  | BFP420 H6327 | BFP420 H6327 INFINEON SMD or Through Hole | BFP420 H6327.pdf | |
|  | DSC-825 | DSC-825 ORIGINAL SMD or Through Hole | DSC-825.pdf | |
|  | 1546574-1 | 1546574-1 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1546574-1.pdf | |
|  | INA285AIDR | INA285AIDR TI SOIC-8 | INA285AIDR.pdf | |
|  | TNR20V152K | TNR20V152K NIPPON DIP-2 | TNR20V152K.pdf | |
|  | PBSS5350Z/T3 | PBSS5350Z/T3 NXP NA | PBSS5350Z/T3.pdf |