창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-OAP650U | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | OAP650U | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SO-8 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | OAP650U | |
관련 링크 | OAP6, OAP650U 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
EMK105BJ474KP-F | 0.47µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | EMK105BJ474KP-F.pdf | ||
VJ0402D130FXAAJ | 13pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D130FXAAJ.pdf | ||
PC0200BJ80138BH1 | 800pF 15000V(15kV) 세라믹 커패시터 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 7.874" Dia(200.00mm) | PC0200BJ80138BH1.pdf | ||
THJB105K035RJN | 1µF Molded Tantalum Capacitors 35V 1210 (3528 Metric) 6.5 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | THJB105K035RJN.pdf | ||
445W22K30M00000 | 30MHz ±20ppm 수정 8pF 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W22K30M00000.pdf | ||
DFE201612P-R33M=P2 | 330nH Shielded Wirewound Inductor 5.6A 28 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | DFE201612P-R33M=P2.pdf | ||
RG2012V-1540-D-T5 | RES SMD 154 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012V-1540-D-T5.pdf | ||
CB7JB82R0 | RES 82 OHM 7W 5% CERAMIC WW | CB7JB82R0.pdf | ||
C5750X5R1C476MTL/F | C5750X5R1C476MTL/F TDK SMD or Through Hole | C5750X5R1C476MTL/F.pdf | ||
PS2801-1Y-V-F3 | PS2801-1Y-V-F3 NEC SOP4 | PS2801-1Y-V-F3.pdf | ||
IKU06N60R | IKU06N60R INFINEON IPAK (TO-251) | IKU06N60R.pdf | ||
ZJL-4G+ | ZJL-4G+ Mini-circuits SMD or Through Hole | ZJL-4G+.pdf |