창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NZH3V6B,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NZH Series | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-6366-2 934064354115 NZH3V6B,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NZH3V6B,115 | |
| 관련 링크 | NZH3V6, NZH3V6B,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 4445R-22K | 560nH Unshielded Toroidal Inductor 900mA 250 mOhm Max Radial | 4445R-22K.pdf | |
![]() | ERJ-L14KF47MU | RES SMD 0.047 OHM 1% 1/3W 1210 | ERJ-L14KF47MU.pdf | |
![]() | MCS04020C6192FE000 | RES SMD 61.9K OHM 1% 1/10W 0402 | MCS04020C6192FE000.pdf | |
![]() | AD822R | AD822R AD SMD or Through Hole | AD822R.pdf | |
![]() | 2SK1059ZT1 | 2SK1059ZT1 HITACHI SOT252 | 2SK1059ZT1.pdf | |
![]() | MK50816N | MK50816N MOSTEK DIP40 | MK50816N.pdf | |
![]() | 2SD1025DJTR | 2SD1025DJTR HIT SOT-89 | 2SD1025DJTR.pdf | |
![]() | LD6163R | LD6163R FU SMD or Through Hole | LD6163R.pdf | |
![]() | IMP811S-3.3 | IMP811S-3.3 IMP SO | IMP811S-3.3.pdf | |
![]() | BZX84C8V2LT1GBO | BZX84C8V2LT1GBO ONSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | BZX84C8V2LT1GBO.pdf | |
![]() | PT6323N | PT6323N TIS Call | PT6323N.pdf | |
![]() | DG308ACJ | DG308ACJ ORIGINAL DIP | DG308ACJ .pdf |