창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NX7002BKMYL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NX7002BKM | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 350mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8옴 @ 200mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23.6pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 350mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
공급 장치 패키지 | DFN1006-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-12500-2 934068617315 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NX7002BKMYL | |
관련 링크 | NX7002, NX7002BKMYL 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | CBR02C609B8GAC | 6pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C609B8GAC.pdf | |
![]() | F339MX222231MDM2B0 | 2200pF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | F339MX222231MDM2B0.pdf | |
![]() | APT8020LFLLG | MOSFET N-CH 800V 38A TO-264 | APT8020LFLLG.pdf | |
![]() | KM68B1002J-10 | KM68B1002J-10 SEC PLCC | KM68B1002J-10.pdf | |
![]() | TSM1C106CSSR | TSM1C106CSSR TANTALUM SMD | TSM1C106CSSR.pdf | |
![]() | 5367CA | 5367CA ALLEGRO DIP-16 | 5367CA.pdf | |
![]() | GP1604AUP-C1 | GP1604AUP-C1 GPBATT SMD or Through Hole | GP1604AUP-C1.pdf | |
![]() | TK20P04M1 | TK20P04M1 TOSHIBA SOT-252 | TK20P04M1.pdf | |
![]() | MAX8830EWE | MAX8830EWE MAX UCSP16 | MAX8830EWE.pdf | |
![]() | R41LF1680CK00M | R41LF1680CK00M ORIGINAL SMD or Through Hole | R41LF1680CK00M.pdf | |
![]() | S-SPEC | S-SPEC I BGA | S-SPEC.pdf | |
![]() | 2BB11DBHBF | 2BB11DBHBF MT BGA | 2BB11DBHBF.pdf |