창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTR4502PT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | N(V)TR4502P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.13A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 1.95A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 400mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NVTR4502PT1G-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTR4502PT1G | |
관련 링크 | NVTR450, NVTR4502PT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CB2016T101M | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 170mA 4.5 Ohm Max 0806 (2016 Metric) | CB2016T101M.pdf | |
![]() | NIM2246D | NIM2246D JRC DIP8 | NIM2246D.pdf | |
![]() | K9F4008WOA-TCB0 | K9F4008WOA-TCB0 SAMSUNG TSOP | K9F4008WOA-TCB0.pdf | |
![]() | AMT102-V KIT | AMT102-V KIT ORIGINAL SMD or Through Hole | AMT102-V KIT.pdf | |
![]() | MIC20751BM | MIC20751BM MICREL SMD or Through Hole | MIC20751BM.pdf | |
![]() | VC7695POJ | VC7695POJ VTC SOP16 | VC7695POJ.pdf | |
![]() | AM610HN | AM610HN ORIGINAL QFN | AM610HN.pdf | |
![]() | AM79465DL | AM79465DL AMD DIP | AM79465DL.pdf | |
![]() | UPD61226-001 | UPD61226-001 NEC QFP | UPD61226-001.pdf | |
![]() | 400V100U | 400V100U ORIGINAL SMD or Through Hole | 400V100U.pdf | |
![]() | MHL1ECTTP56N* | MHL1ECTTP56N* koa SMD or Through Hole | MHL1ECTTP56N*.pdf | |
![]() | MN2102N-4 | MN2102N-4 NS DIP | MN2102N-4.pdf |