창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTJD4001NT2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | N(V)TJD4001N | |
PCN 설계/사양 | Green Compound Update 04/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 250mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 10mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.3nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 33pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 272mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTJD4001NT2G | |
관련 링크 | NVTJD40, NVTJD4001NT2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
K561M10X7RF53H5 | 560pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K561M10X7RF53H5.pdf | ||
564RY5UAJ501EP103M | 10000pF 250V 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 | 564RY5UAJ501EP103M.pdf | ||
1782-11G | 430nH Unshielded Molded Inductor 650mA 350 mOhm Max Axial | 1782-11G.pdf | ||
SMD7.3MKI0.22UF63V | SMD7.3MKI0.22UF63V ORIGINAL SMD or Through Hole | SMD7.3MKI0.22UF63V.pdf | ||
LFX200EB-03F256C | LFX200EB-03F256C LATTICE BGA | LFX200EB-03F256C.pdf | ||
BIR-HM334G-TRA | BIR-HM334G-TRA BRIGHT ROHS | BIR-HM334G-TRA.pdf | ||
T496X337M006ATE500 | T496X337M006ATE500 KEMET SMD | T496X337M006ATE500.pdf | ||
1SS322 TE85L | 1SS322 TE85L TOSHIBA SOT323 | 1SS322 TE85L.pdf | ||
MSP430G2553IRHB32T | MSP430G2553IRHB32T TEXASINSTRUMENTS SMD or Through Hole | MSP430G2553IRHB32T.pdf | ||
LWS-1209HT | LWS-1209HT DANUBE DIP5 | LWS-1209HT.pdf | ||
MA505-14.318180MHZ | MA505-14.318180MHZ EPSON SMD or Through Hole | MA505-14.318180MHZ.pdf | ||
SF10MPZ-H2 | SF10MPZ-H2 MITSUBIS SMD or Through Hole | SF10MPZ-H2.pdf |