창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5826NLWFTWG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVTFS5826NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 850pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTFS5826NLWFTWG | |
관련 링크 | NVTFS5826, NVTFS5826NLWFTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CGJ5H4C0G2H562J115AA | 5600pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGJ5H4C0G2H562J115AA.pdf | |
![]() | H11B3S1(TA) | Optoisolator Darlington with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | H11B3S1(TA).pdf | |
![]() | CRCW251247R5FKTH | RES SMD 47.5 OHM 1% 1W 2512 | CRCW251247R5FKTH.pdf | |
![]() | JTP1004-100K | JTP1004-100K JANTEK SMD or Through Hole | JTP1004-100K.pdf | |
![]() | 3KV | 3KV ORIGINAL SMD or Through Hole | 3KV.pdf | |
![]() | MC54HC4051 | MC54HC4051 MOT CDIP | MC54HC4051.pdf | |
![]() | TSG7232E28A2AEO/TC59S6404BFT | TSG7232E28A2AEO/TC59S6404BFT TAN DIMM | TSG7232E28A2AEO/TC59S6404BFT.pdf | |
![]() | MIC23250-G4YMT-TR | MIC23250-G4YMT-TR MICREL SMD or Through Hole | MIC23250-G4YMT-TR.pdf | |
![]() | EBL321609-1R0K | EBL321609-1R0K ORIGINAL 1206 | EBL321609-1R0K.pdf | |
![]() | MX122-762-03P | MX122-762-03P DECASWITCHLAB SMD or Through Hole | MX122-762-03P.pdf | |
![]() | ADC14DS105 | ADC14DS105 NS LQFP | ADC14DS105.pdf | |
![]() | CY29976A | CY29976A CYPRESS QFP | CY29976A.pdf |